GaN/氮化鎵 - MGZ31N65

產(chǎn)品介紹

GaN，中文名：氮化鎵，常溫常壓下是纖鋅礦結(jié)構(gòu)。是現(xiàn)今半導(dǎo)體照明中藍(lán)光發(fā)光二極管的核心材料。工業(yè)上采用MOCVD和HVPE設(shè)備來外延生長(zhǎng)。

GaN半導(dǎo)體材料有二種基本結(jié)構(gòu):纖鋅礦(Wurtzite, WZ)和閃鋅礦(Zinc blende, ZB)。常溫常壓下惟有纖鋅礦結(jié)構(gòu)為穩(wěn)定相。纖鋅礦結(jié)構(gòu)由兩套六角密堆積子格子沿c軸方向平移3c/8 套構(gòu)而形成，所屬空間群為或P63mc。

一、GaN/氮化鎵 - MGZ31N65的特性：

650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V
非常低的QRR
減少交叉損失
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)和無鹵素要求的包裝

二、GaN/氮化鎵 - MGZ31N65的應(yīng)用：

電源適配器

低功耗SMPS

照明設(shè)備